A capacitor for a semiconductor memory device includes a semiconductor substrate, an interlayer insulation film formed on the semiconductor substrate, having contact plugs filled with a conductive material; a diffusion barrier film formed on the interlayer insulation film including the contact plugs; a lower electrode formed on the diffusion barrier film; a dielectric film formed on the lower electrode; an upper electrode formed on the dielectric film; and a different type film formed adjacent to the upper electrode for applying a compressive stress to the dielectric film.

Un condensador para un dispositivo de memoria de semiconductor incluye un substrato del semiconductor, una película del aislamiento de la capa intermediaria formada en el substrato del semiconductor, teniendo enchufes del contacto llenados de un material conductor; una película de la barrera de difusión formó en la película del aislamiento de la capa intermediaria incluyendo los enchufes del contacto; un electrodo más bajo formó en la película de la barrera de difusión; una película dieléctrica formó en el electrodo más bajo; un electrodo superior formó en la película dieléctrica; y un diverso tipo película formó adyacente al electrodo superior para aplicar una tensión compresiva a la película dieléctrica.