A magnetic memory device includes a data ferromagnetic layer having a magnetization that can be oriented in either of two directions, a reference layer, and a spacer layer between the data and reference layers. The reference layer includes a dielectric layer, first and second conductors separated by the dielectric layer, and a ferromagnetic cladding on the first and second conductors. The memory device may be read by temporarily setting the magnetization of the reference layer to a known orientation, and determining a resistance state of the device.

Un dispositivo de memoria magnético incluye una capa ferromagnética de los datos que tiene una magnetización que se pueda orientar en cualquiera de dos direcciones, de una capa de la referencia, y de una capa del espaciador entre los datos y las capas de la referencia. La capa de la referencia incluye una capa dieléctrica, primero y los segundos conductores separados por la capa dieléctrica, y un revestimiento ferromagnético en los primeros y segundos conductores. El dispositivo de memoria puede ser leído temporalmente fijando la magnetización de la capa de la referencia a una orientación sabida, y determinando un estado de la resistencia del dispositivo.

 
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