A system for determining the logic state of a resistive memory cell element, for example an MRAM resistive cell element. The system includes a controlled voltage supply, an electronic charge reservoir, a current source, and a pulse counter. The controlled voltage supply is connected to the resistive memory cell element to maintain a constant voltage across the resistive element. The charge reservoir is connected to the voltage supply to provide a current through the resistive element. The current source is connected to the charge reservoir to repeatedly supply a pulse of current to recharge the reservoir upon depletion of electronic charge from the reservoir, and the pulse counter provides a count of the number of pulses supplied by the current source over a predetermined time. The count represents a logic state of the memory cell element.

Ένα σύστημα για την κατάσταση λογικής ενός ανθεκτικού στοιχείου κυττάρων μνήμης, παραδείγματος χάριν ένα ανθεκτικό στοιχείο κυττάρων MRAM. Το σύστημα περιλαμβάνει έναν ελεγχόμενο ανεφοδιασμό τάσης, μια ηλεκτρονική δεξαμενή δαπανών, μια τρέχουσα πηγή, και έναν μετρητή σφυγμού. Ο ελεγχόμενος ανεφοδιασμός τάσης συνδέεται με το ανθεκτικό στοιχείο κυττάρων μνήμης για να διατηρήσει μια σταθερή τάση πέρα από το ανθεκτικό στοιχείο. Η δεξαμενή δαπανών συνδέεται με τον ανεφοδιασμό τάσης για να παρέχει ένα ρεύμα μέσω του ανθεκτικού στοιχείου. Η τρέχουσα πηγή συνδέεται με τη δεξαμενή δαπανών για να παρέχει επανειλημμένα έναν σφυγμό του ρεύματος για να επαναφορτίσει τη δεξαμενή επάνω στη μείωση της ηλεκτρονικής δαπάνης από τη δεξαμενή, και ο μετρητής σφυγμού παρέχει μια αρίθμηση του αριθμού σφυγμών που παρέχονται από την τρέχουσα πηγή κατά τη διάρκεια ενός προκαθορισμένου χρόνου. Η αρίθμηση αντιπροσωπεύει μια κατάσταση λογικής του στοιχείου κυττάρων μνήμης.