Group II metal MOCVD precursor compositions are described having utility for MOCVD of the corresponding Group II metal-containing films. The complexes are Group II metal .beta.-diketonate adducts of the formula M(.beta.-diketonate).sub.2 (L).sub.4 wherein M is the Group II metal and L is tetrahydrofuran. Such source reagent complexes of barium and strontium are usefully employed in the formation of barium strontium titanate and other Group II thin films on substrates for microelectronic device applications, such as integrated circuits, ferroelectric memories, switches, radiation detectors, thin-film capacitors, microelectromechanical structures (MEMS) and holographic storage media.

Η ομάδα ΙΙ συνθέσεις προδρόμων MOCVD μετάλλων περιγράφεται έχοντας τη χρησιμότητα για το MOCVD της αντίστοιχης ομάδας ΙΙ μέταλλο-που περιέχει τις ταινίες. Τα συγκροτήματα είναι ομάδα ΙΙ συμπλέγματα μετάλλων ψετα.-δηκετονατε του τύπου M(.beta.-diketonate).sub.2 (L).sub.4 όπου το μ είναι η ομάδα ΙΙ μέταλλο και το λ είναι tetrahydrofuran. Τέτοια συγκροτήματα αντιδραστηρίων πηγής του βάριου και του στροντίου υιοθετούνται ωφέλιμα στο σχηματισμό titanate και άλλης ομάδας ΙΙ στροντίου βάριου τις λεπτές ταινίες στα υποστρώματα για τις μικροηλεκτρονικές εφαρμογές συσκευών, όπως τα ολοκληρωμένα κυκλώματα, οι σιδηροηλεκτρικές μνήμες, οι διακόπτες, οι ανιχνευτές ακτινοβολίας, οι λεπτοί πυκνωτές, οι microelectromechanical δομές (MEMS) και τα ολογραφικά μέσα απομνημόνευσης.