A method for forming a composite dielectric layer comprising a low dielectric constant dielectric layer upon a substrate employed within a microelectronics fabrication. There is provided a patterned microelectronics layer upon a substrate employed within a microelectronics fabrication. There is then formed upon the microelectronics substrate a low dielectric constant dielectric layer. There is then treated the low dielectric constant dielectric layer with a plasma, forming a plasma treated low dielectric constant dielectric layer. There is then formed upon the plasma treated low dielectric constant dielectric layer a silicon containing dielectric layer with enhanced adhesion thereupon.

Μια μέθοδος για ένα σύνθετο διηλεκτρικό στρώμα που περιλαμβάνει ένα χαμηλό διηλεκτρικό στρώμα διηλεκτρικής σταθεράς επάνω σε ένα υπόστρωμα που χρησιμοποιείται μέσα σε μια επεξεργασία μικροηλεκτρονικής. Παρέχεται ένα διαμορφωμένο στρώμα μικροηλεκτρονικής επάνω σε ένα υπόστρωμα που χρησιμοποιείται μέσα σε μια επεξεργασία μικροηλεκτρονικής. Διαμορφώνεται έπειτα επάνω στο υπόστρωμα μικροηλεκτρονικής ένα χαμηλό διηλεκτρικό στρώμα διηλεκτρικής σταθεράς. Αντιμετωπίζεται έπειτα το χαμηλό διηλεκτρικό στρώμα διηλεκτρικής σταθεράς με ένα πλάσμα, που διαμορφώνει ένα αντιμετωπισμένο πλάσμα χαμηλό διηλεκτρικό στρώμα διηλεκτρικής σταθεράς. Διαμορφώνεται έπειτα επάνω στο αντιμετωπισμένο πλάσμα χαμηλό διηλεκτρικό στρώμα διηλεκτρικής σταθεράς ένα πυρίτιο που περιέχει το διηλεκτρικό στρώμα με την ενισχυμένη προσκόλληση κατά συνέπεια.