A bias voltage generating circuit includes a series circuit of a magneto-resistance element and a MOS transistor. The MR ratio of the magneto-resistance element in the series circuit is set to 1/2 the MR ratio of the magneto-resistance element in a memory cell. An adjusting resistor has a resistance value 1/2 the interconnection resistance of a bit line. A bias voltage generating circuit applies a bias voltage to a sense current source. When a constant current flows in the bias voltage generating circuit, the sense current source supplies a sense current equal to the constant current to a bit line.

Uma tensão diagonal que gera o circuito inclui um circuito da série de um elemento da magnetorresistência e de um transistor do MOS. O SR. relação do elemento da magnetorresistência no circuito da série é ajustado a 1/2 o SR. relação do elemento da magnetorresistência em uma pilha de memória. Um resistor de ajuste tem um valor 1/2 da resistência a resistência da interconexão de uma linha do bocado. Uma tensão diagonal que gera o circuito aplica uma tensão diagonal a uma fonte da corrente do sentido. Quando uma corrente constante flui na tensão diagonal que gera o circuito, a fonte atual do sentido fornece uma corrente do sentido igual à corrente constante a uma linha do bocado.