An electric connection structure connecting a first silicon body to
conductive regions provided on the surface of a second silicon body
arranged on the first body. The electric connection structure includes at
least one plug region of silicon, which extends through the second body;
at least one insulation region laterally surrounding the plug region; and
at least one conductive electromechanical connection region arranged
between the first body and the second body, and in electrical contact with
the plug region and with conductive regions of the first body. To form the
plug region, trenches are dug in a first wafer and are filled, at least
partially, with insulating material. The plug region is fixed to a metal
region provided on a second wafer, by performing a low-temperature heat
treatment which causes a chemical reaction between the metal and the
silicon. The first wafer is thinned until the trenches and electrical
connections are formed on the free face of the first wafer.
Une structure électrique de raccordement reliant un premier corps de silicium aux régions conductrices a fourni sur la surface d'un deuxième corps de silicium disposé sur le premier corps. La structure électrique de raccordement inclut au moins une région de prise du silicium, qui avance à travers le deuxième corps ; au moins une région d'isolation entourant latéralement la région de prise ; et au moins une région électromécanique conductrice de raccordement a arrangé entre le premier corps et le deuxième corps, et en contact électrique avec la région de prise et avec des régions conductrices du premier corps. Pour former la région de prise, des fossés sont creusés dans une première gaufrette et sont remplis, au moins partiellement, de matériel isolant. La région de prise est fixée à une région en métal fournie sur une deuxième gaufrette, en effectuant un traitement thermique à basse température qui cause une réaction chimique entre le métal et le silicium. La première gaufrette est amincie jusqu'aux fossés et des raccordements électriques sont formés sur le visage libre de la première gaufrette.
