The present invention provides a semiconductor device with reducing dislocation density. The semiconductor device includes multiple nucleuses between a substrate and an AlGaInN compound semiconductor. The dislocation density that is induced by crystal lattice differences between the substrate and the AlGaInN compound semiconductor is significantly reduced and the growth of the AlGaInN compound semiconductor is improved.

La presente invenzione fornisce ad un dispositivo a semiconduttore la riduzione della densità di dislocazione. Il dispositivo a semiconduttore include i nuclei multipli fra un substrato e un semiconduttore compound di AlGaInN. La densità di dislocazione che è indotta tramite le differenze della grata di cristallo fra il substrato ed il semiconduttore compound di AlGaInN è ridotto significativamente e lo sviluppo del semiconduttore compound di AlGaInN è migliorata.