There is disclosed a semiconductor light emitting element formed by selective growth and being high in light emitting efficiency, in which at least one GaN-based layer grown by ELO is stacked/formed on a sapphire substrate, and a fluorescent substance for converting an ultraviolet light to a visible light is contained in a selective growth mask material layer for use in this case. Since this fluorescent substance converts the ultraviolet light to the visible light, a binding efficiency of the ultraviolet light to the fluorescent substance is enhanced in either one of a center light emitting type and UV light emitting type of light emitting elements. By further containing the fluorescent substance into a passivation film, the efficiency is further enhanced.

Se divulga un elemento que emite ligero del semiconductor formado crecimiento selectivo y siendo alto en la luz que emite la eficacia, en la cual por lo menos una GaN-baso' la capa crecida por ELO es stacked/formed en un substrato del zafiro, y una sustancia fluorescente para convertir una luz ultravioleta a una luz visible se contiene en una capa material de la máscara selectiva del crecimiento para el uso en este caso. Puesto que esta sustancia fluorescente convierte la luz ultravioleta a la luz visible, una eficacia obligatoria de la luz ultravioleta a la sustancia fluorescente se realza en cualquiera una de una luz de centro que emite el tipo y de luz UV que emite el tipo de luz que emite elementos. Más lejos conteniendo la sustancia fluorescente en una película de la pasivación, la eficacia es realzada más a fondo.