A resistive cross point memory (RXPtM) cell array device, one example of which is a magnetic random access memory (MRAM) device, includes a chip on which is formed an array of RXPtM cells, an array of sense amplifiers used in sensing resistance values of the RXPtM cells, and an input/output (I/O) controller. The I/O controller includes a calibration controller, which tests the combination of a particularly selected memory cell and a particular associated one of the array of sense amplifiers in view of then existing environmental conditions, to assure that the sense amplifier has an acceptable calibration. Data integrity of the RXPtM cell array device is assured by a method in which each operation to sense data from the device includes a calibration test, which if not passed results in the sense amplifiers being recalibrated. When proper calibration of the sense amplifies is indicated, then sensing of the data value proceeds.

Un dispositif résistif de rangée de cellules de mémoire de point en travers (RXPtM), dont un exemple est un dispositif magnétique de la mémoire à accès sélective (MRAM), inclut un morceau sur lequel est formé un choix de cellules de RXPtM, une rangée d'amplificateurs de sens utilisés en sentant des valeurs de résistance des cellules de RXPtM, et un contrôleur de l'entrée-sortie (I/O). Le contrôleur d'I/O inclut un contrôleur de calibrage, qui examine la combinaison d'une cellule de mémoire en particulier choisie et associée particulière de la rangée d'amplificateurs de sens en raison des conditions environnementales alors existantes, pour s'assurer que l'amplificateur de sens a un calibrage acceptable. La intégrité des données du dispositif de rangée de cellules de RXPtM est assurée par une méthode dans laquelle chaque opération aux données de sens du dispositif inclut un essai d'étalonnage, qui si des résultats non passés dans les amplificateurs de sens étant recalibrés. Quand le calibrage approprié du sens amplifie est indiqué, alors sensation de la valeur de données procède.