A method of forming substrates. The method includes providing a donor substrate; and forming a cleave layer comprising a cleave plane on the donor substrate. The cleave plane extends from a periphery of the donor substrate through a center region of the substrate. The method also includes forming a device layer on the cleave layer. The method also includes selectively introducing a plurality of particles along the periphery of the cleave plane to form a higher concentration region at the periphery and a lower concentration region in the center region. Selected energy is provided to the donor substrate to initiate a cleaving action at the higher concentration region at the periphery of the cleave plane to cleave the device layer at the cleave plane.

Μια μέθοδος τα υποστρώματα. Η μέθοδος περιλαμβάνει την παροχή ενός υποστρώματος χορηγών και η διαμόρφωση διασπά τη συμπερίληψη στρώματος διασπά το αεροπλάνο στο υπόστρωμα χορηγών. Διασπάστε το αεροπλάνο επεκτείνεται από μια περιφέρεια του υποστρώματος χορηγών μέσω μιας κεντρικής περιοχής του υποστρώματος. Η μέθοδος περιλαμβάνει επίσης τη διαμόρφωση ενός στρώματος συσκευών διασπά το στρώμα. Η μέθοδος περιλαμβάνει επίσης επιλεκτικά να εισαγάγει μια πολλαπλότητα των μορίων κατά μήκος της περιφέρειας διασπά το αεροπλάνο για να διαμορφώσει μια υψηλότερη περιοχή συγκέντρωσης στην περιφέρεια και μια χαμηλότερη περιοχή συγκέντρωσης στην κεντρική περιοχή. Η επιλεγμένη ενέργεια παρέχεται στο υπόστρωμα χορηγών για να αρχίσει μια δράση διάσπασης στην υψηλότερη περιοχή συγκέντρωσης στην περιφέρεια διασπά το αεροπλάνο για να διασπάσει το στρώμα συσκευών διασπά το αεροπλάνο.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Constructions comprising insulative materials

> Process for growing silicon crystals which allows for variability in the process conditions while suppressing the formation of agglomerated intrinsic point defects

> (none)

~ 00056