A method is provided for forming a patterned layer of resistive material in
electrical contact with a layer of electrically conducting material. A
three-layer structure is formed which comprises a metal conductive layer,
an intermediate layer formed of material which is degradable by a chemical
etchant, and a layer of resistive material of sufficient porosity such
that the chemical etchant for said intermediate layer may seep through the
resistive material and chemically degrade said intermediate layer so that
the resistive material may be ablated from said conductive layer wherever
the intermediate layer is chemically degraded. A patterned photoresist
layer is formed on the resistive material layer. The resistive material
layer is exposed to the chemical etchant for said intermediate layer so
that the etchant seeps through the porous resistive material layer and
degrades the intermediate layer. Then, portions of the resistive material
layer are ablated away wherever the intermediate layer has been degraded.
Μια μέθοδος παρέχεται για τη διαμόρφωση ενός διαμορφωμένου στρώματος του ανθεκτικού υλικού σε ηλεκτρική επαφή με ένα στρώμα ηλεκτρικά να διευθύνει το υλικό. Μια δομή τρεις-στρώματος διαμορφώνεται που περιλαμβάνει ένα αγώγιμο στρώμα μετάλλων, ένα ενδιάμεσο στρώμα που διαμορφώνονται του υλικού που είναι διασπάσιμο από χημικό έναν etchant, και ένα στρώμα του ανθεκτικού υλικού του ικανοποιητικού πορώδους έτσι ώστε η χημική ουσία etchant για το εν λόγω ενδιάμεσο στρώμα μπορεί να διαρρεύσει μέσω του ανθεκτικού υλικού και να υποβιβάσει χημικά το εν λόγω ενδιάμεσο στρώμα έτσι ώστε το ανθεκτικό υλικό μπορεί να αφαιρεθεί από το εν λόγω αγώγιμο στρώμα οπουδήποτε το ενδιάμεσο στρώμα υποβιβάζεται χημικά. Ένα διαμορφωμένο photoresist στρώμα διαμορφώνεται στο ανθεκτικό υλικό στρώμα. Το ανθεκτικό υλικό στρώμα εκτίθεται στη χημική ουσία etchant για το εν λόγω ενδιάμεσο στρώμα έτσι ώστε ο etchant διαρρέει μέσω του πορώδους ανθεκτικού υλικού στρώματος και υποβιβάζει το ενδιάμεσο στρώμα. Κατόπιν, οι μερίδες του ανθεκτικού υλικού στρώματος αφαιρούνται μακριά οπουδήποτε το ενδιάμεσο στρώμα έχει υποβιβαστεί.
