The present invention aims at providing a light source for a semiconductor laser beam scanner having high resolution in scanning and a high degree of mounting freedom, and suitable for emitting a laser beam from the surface. Therefore, a surface emission type semiconductor laser includes at least a first mirror 102, an active layer 103, a current narrowing layer 113, a contact layer 106, and a second mirror 111, which are formed on a semiconductor substrate 101; wherein the current narrowing layer 113 is made of a stripe AlAs layer 105, and an Al oxide layer 108 formed to surround the AlAs layer 105; the region of the contact layer 106, which overlaps the Al oxide layer, is formed in a comb shape 109, and independent contact electrodes 110 are respectively formed on the upper surfaces of the teeth of the comb shape 109 of the contact layer.

La actual invención tiene como objetivo el proporcionar de una fuente de luz para un explorador del rayo laser del semiconductor que tiene la alta resolución en la exploración y un alto grado de libertad del montaje, y conveniente para emitir un rayo laser de la superficie. Por lo tanto, un tipo superficial laser de la emisión del semiconductor incluye por lo menos un primer espejo 102, una capa activa 103, una capa que enangosta actual 113, una capa 106 del contacto, y un segundo espejo 111, que se forman en un substrato 101 del semiconductor; en donde la capa que enangosta actual 113 se hace de una raya alAs la capa 105, y una capa 108 del óxido del al formaron para rodear alAs la capa 105; la región de la capa 106 del contacto, que traslapa la capa del óxido del al, se forma en una forma 109 del peine, y los electrodos independientes 110 del contacto se forma respectivamente en las superficies superiores de los dientes de la forma 109 del peine de la capa del contacto.