In accordance with one embodiment of the invention, a diffusion barrier
layer is formed in a copper interconnect structure by first forming a
layer of intermetal dielectric material on an underlying layer of
conductive material. A pattern of dual damascene structures is then formed
in the interconnect dielectric layer. An adhesion layer is then formed on
exposed sidewalls of the damascene structure and on the upper surface of
the intermetal dielectric material. The adhesion-layer-lined dual
damascene structures are then filled with a conductive material that
includes copper. The copper-including conductive material is then
planarized to the upper surface of the intermetal dielectric material.
Intermetal dielectric material is then removed to expose the conductive
material. A diffusion barrier material is then deposited on exposed
surfaces of the conductive material. Low k dielectric material is then
disposed over the entire interconnect structure to fill the gaps, thus
providing a low k solution and structural integrity to the interconnect.
De acordo com uma incorporação da invenção, uma camada de barreira da difusão é dada forma em uma estrutura de cobre do interconnect primeiramente dando forma a uma camada de material dieléctrico intermetal em uma camada subjacente de material condutor. Um teste padrão de estruturas damascene duplas é dado forma então na camada do dielétrico do interconnect. Uma camada da adesão é dada forma então em sidewalls expostos da estrutura damascene e na superfície superior do material dieléctrico intermetal. As estruturas damascene duplas adesão-camada-alinhadas são enchidas então com um material condutor que inclua o cobre. Cobre-copper-including o material condutor é planarized então à superfície superior do material dieléctrico intermetal. O material dieléctrico de Intermetal é removido então para expo o material condutor. Um material da barreira de difusão é depositado então em superfícies expostas do material condutor. O material dieléctrico baixo de k é disposto então sobre a estrutura inteira do interconnect encher as aberturas, assim fornecendo uma solução baixa de k e uma integridade estrutural ao interconnect.
