In a laser-diode-pumped laser apparatus, a solid-state laser crystal doped
with at least one rare-earth element including at least Pr.sup.3+ is
pumped with a laser diode, and emits laser light. In the first aspect, the
laser diode has an active layer made of one of an InGaN, InGaNAs, and
GaNAs materials, and an optical wavelength conversion element converts the
solid-state laser light into ultraviolet laser light by wavelength
conversion. In the second aspect, the solid-state laser crystal is codoped
with Pr.sup.3+ and at least one of Er.sup.3+, Ho.sup.3+, Dy.sup.3+,
Eu.sup.3+, Sm.sup.3+, Pm.sup.3+, and Nd.sup.3+. In the third aspect,
instead of the solid-state laser crystal, an optical fiber codoped with
Pr.sup.3+ and at least one of Er.sup.3+, Ho.sup.3+, Dy.sup.3+, Eu.sup.3+,
Sm.sup.3+, Pm.sup.3+, and Nd.sup.3+ is pumped with a GaN-based compound
laser diode. In the fourth aspect, an optical fiber codoped with Pr.sup.3+
and at least one of Er.sup.3+, Ho.sup.3+, Dy.sup.3+, Eu.sup.3+, Sm.sup.3,
Pm.sup.3, and Nd.sup.3+ amplifies incident light having a wavelength which
is identical with a wavelength of fluorescence generated by pumping of the
optical fiber with a GaN-based compound laser diode.
В лазер-диод-nagnetenny1 прибор лазера, полупроводниковый кристалл лазера данный допинг с по крайней мере одним rare-earth элементом включая по крайней мере Pr.sup.3+ нагнетен с диодом лазера, и испускает свет лазера. В первом аспекте, диод лазера имеет активно слой сделанный одного из материалов InGaN, InGaNAs, и GaNAs, и оптически элемент преобразования длины волны преобразовывает полупроводниковый свет лазера в ультрафиолетов свет лазера преобразованием длины волны. В втором аспекте, полупроводниковый кристалл лазера находится codoped с Pr.sup.3+ и по крайней мере одним Er.sup.3+, Ho.sup.3+, Dy.sup.3+, Eu.sup.3+, Sm.sup.3+, Pm.sup.3+, и Nd.sup.3+. В третьем аспекте, вместо полупроводникового кристалла лазера, оптически волокно codoped с Pr.sup.3+ и по крайней мере одно из Er.sup.3+, Ho.sup.3+, Dy.sup.3+, Eu.sup.3+, Sm.sup.3+, Pm.sup.3+, и Nd.sup.3+ нагнетено с ГаН-osnovannym составным диодом лазера. В четвертом аспекте, оптически волокно codoped с Pr.sup.3+ и по крайней мере одно из Er.sup.3+, Ho.sup.3+, Dy.sup.3+, Eu.sup.3+, Sm.sup.3, Pm.sup.3, и Nd.sup.3+ усиливает свет случая имея длину волны которая идентична при длина волны флуоресцирования произведенная путем нагнетать оптически волокна с ГаН-osnovannym составным диодом лазера.
