A semiconductor wafer is diced before thinning. The wafer is diced only part of the way through, to form grooves which are at least as deep as the final thickness of each chip to be obtained from the wafer. Then the wafer backside is etched with a dry etch, for example, atmospheric pressure plasma etch. The wafer is thinned until the grooves are exposed from the backside. The dry etch leaves the chip's backside smooth. After the grooves have been exposed, the dry etch is continued to remove damage from the chip sidewalls and to round the chips' bottom edges and corners. The grooves' aspect ratio is large to reduce the lateral etch rate of the chip sidewalls and thus allow more area for on-chip circuitry.

Una cialda a semiconduttore è tagliata prima dell'assottigliamento. La cialda è soltanto parte tagliata del senso attraverso, formare le scanalature che sono almeno profonde quanto lo spessore finale di ogni circuito integrato da ottenere dalla cialda. Allora la parte posteriore della cialda è incisa con incissione all'acquaforte asciutta, per esempio, incissione all'acquaforte del plasma di pressione atmosferica. La cialda è assottigliata fino ad esporre le scanalature dalla parte posteriore. Incissione all'acquaforte asciutta lascia la parte posteriore del circuito integrato liscia. Dopo che le scanalature siano esposte, incissione all'acquaforte asciutta è continuata per rimuovere danni dai muri laterali del circuito integrato ed a rotondo i margini inferiori ed angoli dei circuiti integrati. L'allungamento delle scanalature è grande ridurre il tasso laterale incissione all'acquaforte dei muri laterali del circuito integrato e concedere così più zona per i circuiti del su-circuito integrato.