A process for forming a pattern in a semiconductor film is provided. The
process comprises the steps of: providing a substrate; providing an
organic semiconductor film adjacent the substrate; and providing a
destructive agent adjacent selected portions of the organic semiconductor
film, the destructive agent changing a property of selected portions of
the organic semiconductor film substantially through the full thickness of
the organic semiconductor film such that the property of the selected
portions of the organic semiconductor film differs from the property of
remaining portions of the organic semiconductor film. A method for
manufacturing a transistor comprises the steps of: providing a substrate;
providing a gate electrode adjacent the substrate; providing a gate
dielectric adjacent the substrate and the gate electrode; providing a
source electrode and a drain electrode adjacent the gate dielectric;
providing a mask adjacent the gate dielectric in a pattern such that the
source electrode, the drain electrode, and a portion of the gate
dielectric remain exposed; and providing a semiconductor layer comprising
one of an organic semiconductor and a plurality of inorganic colloidal
particles, adjacent the source electrode, the drain electrode, the portion
of the gate dielectric and the mask, thereby forming the transistor, the
semiconductor layer having a thickness less than a thickness of the mask.
Un processus pour former un modèle dans un film de semi-conducteur est fourni. Le processus comporte les étapes de : fournir un substrat ; fournissant un film organique de semi-conducteur adjacent le substrat ; et fournissant les parties choisies adjacentes d'un agent destructif du film organique de semi-conducteur, l'agent destructif changeant une propriété des parties choisies du film organique de semi-conducteur sensiblement par la pleine épaisseur du film organique de semi-conducteur tels que la propriété des parties choisies du film organique de semi-conducteur diffère de la propriété des parties restantes du film organique de semi-conducteur. Une méthode pour fabriquer un transistor comporte les étapes de : fournir un substrat ; fournissant une électrode de porte adjacente le substrat ; fournissant un diélectrique de porte adjacent le substrat et l'électrode de porte ; fournissant une électrode de source et une électrode de drain adjacentes le diélectrique de porte ; fournissant un masque adjacent le diélectrique de porte dans un modèle tels que l'électrode de source, l'électrode de drain, et une partie du diélectrique de porte restent exposées ; et fournissant une couche de semi-conducteur comportant un d'un semi-conducteur organique et une pluralité des particules colloïdales inorganiques, adjacente l'électrode de source, l'électrode de drain, la partie du diélectrique de porte et le masque, formant de ce fait le transistor, la couche de semi-conducteur ayant une épaisseur moins qu'une épaisseur du masque.
