A platinum film orientation-controlled to (111), (200) and/or (220) is provided by depositing the platinum film under an atmosphere containing an oxygen component such as O.sub.2, O.sub.3, N.sub.2 O , N.sub.2 +O.sub.2, or mixtures thereof as well as an inert gas (Ar, Ne, Kr, or Xe) on a substrate heated to a temperature ranged from room temperature to 700.degree. C., and annealing to remove the gases introduced into the platinum film during the deposition thereof. The platinum film formed in this process has excellent electrical conductivity (resistivity is lower than 15 .mu..OMEGA.-cm), good enough adhesion strength to be used for electronic devices, and does not show hillocks, voids or pinholes.

Пленка платины ориентаци-orientation-controlled к (111), (200) and/or (220) снабжена путем депозировать пленку платины под атмосферой содержа компонент кислорода such as O.sub.2, O.sub.3, N.sub.2 о, N.sub.2 +O.sub.2, или смеси thereof так же, как инертный газ (Ar, ne, kr, или Xe) на нагретом субстрате температура заколебалась от температуры комнаты к 700.degree. C, и отжиг для того чтобы извлечь газы введенные в пленку платины во время низложения thereof. Пленка платины сформированная в этом процессе имеет превосходную электрическую проводимость (резистивность более низка чем 15 mu..OMEGA.-santimetrov), хорошую достаточно прочность прилипания, котор нужно использовать для электронных приспособлений, и не показывает hillocks, свободные пространства или pinholes.

 
Web www.patentalert.com

< Ferroelectric memory cell for VLSI RAM

< Semiconductor integrated circuits and efficient parallel test methods

> FRAM and method of fabricating the same

> Ferroelectric memory with bit-plate parallel architecture and operating method thereof

~ 00055