Provided is an SiGe crystal having an improved performance index and excellent machinability as a material constituting a thermoelectric element, neither degradation in characteristics nor cracking occurring during use. Crystal grains forming the crystal are 5.times.10.sup.-5 mm.sup.3 or more in size.

Si n'est un cristal de SiGe ayant un index amélioré d'exécution et une excellente usinabilité comme matériel constituant un élément thermoélectrique, ni dégradation dans les caractéristiques ni fendant l'occurrence pendant l'utilisation. Les grains en cristal formant le cristal sont 5.times.10.sup.-5 mm.sup.3 ou plus dans la taille.