An optoelectronic device with a Group III Nitride active layer is disclosed that comprises a silicon carbide substrate; an optoelectronic diode with a Group III nitride active layer; a buffer structure selected from the group consisting of gallium nitride and indium gallium nitride between the silicon carbide substrate and the optoelectronic diode; and a stress-absorbing structure comprising a plurality of predetermined stress-relieving areas within the crystal structure of the buffer structure, so that stress-induced cracking that occurs in the buffer structure occurs at predetermined areas rather than elsewhere in the buffer structure.

Un dispositivo optoelettronico con uno strato attivo del nitruro del gruppo III è rilevato che contiene un substrato del carburo del silicone; un diodo optoelettronico con uno strato attivo del nitruro del gruppo III; una struttura dell'amplificatore scelta dal nitruro consistente del gallio del gruppo e dal nitruro del gallio dell'indio fra il substrato del carburo del silicone ed il diodo optoelettronico; e una struttura sollecit-assorbente che contiene una pluralità le zone d'alleviamento predeterminate all'interno della struttura di cristallo della struttura dell'amplificatore, di modo che stress-induced spezzare quello si presenta nella struttura dell'amplificatore si presenta alle zone predeterminate piuttosto che altrove nella struttura dell'amplificatore.