The invention comprises a pair of dual stripe magnetoresistive (DSMR) sensor elements with aligned edges of a pair of patterned magnetoresistive (MR) layers within the pair of dual stripe magnetoresistive (DSMR) sensor elements. A first embodiment of the dual stripe magnetoresistive (DSMR) sensor element employs a patterned first magnetoresistive (MR) layer, a patterned inter stripe dielectric layer and a patterned second magnetoresistive (MR) layer which are areally co-extensive, and thus have all edges thereof fully aligned. A second embodiment of the dual stripe magnetoresistive (DSMR) sensor element employs a patterned first magnetoresistive (MR) layer, a pattern ed inter stripe dielectric layer and a patterned second magnetoresistive (MR) layer, where: (1) at least a portion of an edge of the patterned first magnetoresistive (MR) layer, the pattern ed inter stripe dielectric layer and the patterned second magnetoresistive (MR layer opposite an air bearing surface (ABS) of the dual stripe magnetoresistive (DSMR) sensor element are fully aligned; and (2) there is employed a patterned backfilling dielectric layer covering those fully aligned edges of the patterned first magnetoresistive (MR) layer, the pattern ed inter stripe dielectric layer and the patterned second magnetoresistive (MR) layer, where the patterned backfilling dielectric layer does not completely cover a top surface of the patterned second magnetoresistive (MR) layer.

Η εφεύρεση περιλαμβάνει ένα ζευγάρι των διπλών στοιχείων αισθητήρων λωρίδων magnetoresistive (DSMR) με τις ευθυγραμμισμένες άκρες ενός ζευγαριού των διαμορφωμένων magnetoresistive στρωμάτων (MR) μέσα στο ζευγάρι των διπλών στοιχείων αισθητήρων λωρίδων magnetoresistive (DSMR). Μια πρώτη ενσωμάτωση του διπλού στοιχείου αισθητήρων λωρίδων magnetoresistive (DSMR) υιοθετεί ένα διαμορφωμένο πρώτο magnetoresistive στρώμα (MR), ένα διαμορφωμένο διά διηλεκτρικό στρώμα λωρίδων και ένα διαμορφωμένο δεύτερο magnetoresistive στρώμα (MR) που είναι areally συμπεριεκτικά, και έτσι ευθυγραμμίζουν όλες τις άκρες επ' αυτού πλήρως. Μια δεύτερη ενσωμάτωση του διπλού στοιχείου αισθητήρων λωρίδων magnetoresistive (DSMR) υιοθετεί ένα διαμορφωμένο πρώτο magnetoresistive στρώμα (MR), ένα διά διηλεκτρικό στρώμα λωρίδων σχεδίων ΕΔ και ένα διαμορφωμένο δεύτερο magnetoresistive στρώμα (MR), όπου: (1) τουλάχιστον μια μερίδα μιας άκρης του διαμορφωμένου πρώτου magnetoresistive στρώματος (MR), το διά διηλεκτρικό στρώμα λωρίδων σχεδίων ΕΔ και διαμορφωμένου δεύτερος magnetoresistive (ο Κ. στρώμα απέναντι από μια επιφάνεια ρουλεμάν αέρα (ABS) του διπλού στοιχείου αισθητήρων λωρίδων magnetoresistive (DSMR) ευθυγραμμίζεται πλήρως και (2) εκεί υιοθετείται ένα διαμορφωμένο επιχωματώνοντας διηλεκτρικό στρώμα που καλύπτουν εκείνες τις πλήρως ευθυγραμμισμένες άκρες του διαμορφωμένου πρώτου magnetoresistive στρώματος (MR), το διά διηλεκτρικό στρώμα λωρίδων σχεδίων ΕΔ και το διαμορφωμένο δεύτερο magnetoresistive στρώμα (MR), όπου το διαμορφωμένο επιχωματώνοντας διηλεκτρικό στρώμα δεν καλύπτει εντελώς μια κορυφαία επιφάνεια του διαμορφωμένου δεύτερου magnetoresistive στρώματος (MR).