A wafer flattening process designed to flatten the entire surface of the wafer including the outer rim of the wafer by inserting dummy data corresponding to the data of the outer rim of the wafer in the data of the outside of the wafer, and a storage medium for the same. An area S is set at an outside position exactly an etching radius r from an outer rim Wc of the wafer Wc ahd the nozzle relative speed at the position-speed data D of points P4-1 to P4-3 closest to an imaginary line L passing through the point P4 inside the area S near the outer rim Wc is set to be the same as the nozzle relative speed of the position-speed data D of the point P4. Due to this, the nozzle spraying the activated species gas G moves as if along the imaginary line L and the portion of the point P4 is etched flat by superposition of the activated species gas G of the nozzle passing through the points P4-1 to P4-3, the point P4, and the point P6.

Un processus d'aplatissement de gaufrette a conçu pour aplatir la surface entière de la gaufrette comprenant la jante externe de la gaufrette en insérant les données factices correspondant aux données de la jante externe de la gaufrette dans les données de l'extérieur de la gaufrette, et un support de stockage pour la même chose. Un secteur S est placé à une position extérieure exactement un rayon r gravure à l'eau-forte d'une carte de travail externe de jante de l'ahd de carte de travail de gaufrette le bec la vitesse que relative aux données D de position-vitesse des points P4-1 à P4-3 le plus proche d'une ligne imaginaire L passant par le point P4 à l'intérieur du secteur S près de la carte de travail externe de jante est placée pour être identique que la vitesse relative de bec des données D de position-vitesse du point P4. En raison de ceci, le bec la pulvérisation du gaz activé G d'espèces se déplace comme si selon la ligne imaginaire L et la partie du point P4 est gravé à l'eau-forte à plat par la superposition du gaz activé G d'espèces du bec passant par les points P4-1 à P4-3, au point P4, et au point P6.

 
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