A method and apparatus provide for etching a semiconductor wafer using a two step physical etching and a chemical etching process in order to create vertical sidewalls required for high density DRAMs and FRAMs.

Eine Methode und ein Apparat stellen für das Ätzen eines Halbleiterplättchens mit einer körperlichen Radierung mit zwei Schritten und einem chemischen Radierung Prozeß, um die vertikalen Seitenwände herzustellen zur Verfügung, die für hohe Dichte DRAMs und FRAMs erfordert werden.