A chemical vapor deposition method of providing a layer of material atop a semiconductor wafer using an organic precursor includes, a) positioning a wafer within a chemical vapor deposition reactor; b) injecting an organic precursor to within the reactor having the wafer positioned therein, and maintaining the reactor at a temperature and a pressure which in combination are effective to deposit a first layer of material onto the wafer which incorporates carbon from the organic precursor; and c) after depositing the first layer, ceasing to inject the organic precursor into the reactor and injecting a component gas into the reactor and generating a plasma within the reactor against the first layer, the component gas and plasma generated therefrom having a component which is effective when in an activated state to interact with a component of the deposited first layer to remove carbon from the first layer and produce gaseous products which are expelled from the reactor. In one aspect, the component gas provides a bonding component which replaces and substitutes for the carbon displaced from carbide present in the layer. In another aspect, the "b" and "c" steps are repeated to deposit more of the same layers.

Un método de la deposición de vapor químico de proporcionar una capa de material encima de una oblea de semiconductor que usa un precursor orgánico incluye, a) colocando una oblea dentro de un reactor de la deposición de vapor químico; b) inyectando un precursor orgánico dentro del reactor que hace la oblea colocar en esto, y manteniendo el reactor en una temperatura y una presión que en la combinación son eficaces depositar una primera capa de material sobre la oblea que incorpora el carbón del precursor orgánico; y c) después de depositar la primera capa, de dejar de inyectar el precursor orgánico en el reactor y de inyectar un gas componente en el reactor y de generar un plasma dentro del reactor contra la primera capa, el gas componente y el plasma generó therefrom tener un componente que es eficaz cuando en un estado activado obrar recíprocamente con un componente de la primera capa depositada para quitar el carbón de la primera capa y para producir los productos gaseosos que se expelen del reactor. En un aspecto, el gas componente proporciona un componente de la vinculación que substituya y substituya para el carbón desplazado del carburo presente en la capa. En otro aspecto, los pasos de "b" y de "c" se repiten para depositar más de las mismas capas.