The present invention relates to organic anti-reflective coating polymers
and preparation methods therefor. Anti-reflective coatings are used in a
semiconductor device during photolithography processes to prevent the
reflection of light from lower layers of the device, or resulting from
changes in the thickness of the photoresist layer, and to eliminate the
standing wave effect when ArF light is used. The present invention also
relates to anti-reflective compositions and coatings containing these
organic anti-reflective coating polymers, alone or in combination with
certain light-absorbing compounds, and preparation methods therefor. When
the polymers of the present invention are used in an anti-reflective
coating in a photolithography process for forming submicro-patterns, the
resultant elimination of changes in CD due to diffractive and reflective
lights originating from lower layers increases the product yield in the
formation of submicro-patterns during the manufacture of 64 M, 256 M, 1 G,
4 G and 16 G DRAM semiconductor devices.
Присытствыющий вымысел относит к органическим анти-otrajatel6nym покрывая полимерам и методам подготовки therefor. Анти-otrajatel6nye покрытия использованы в прибора на полупроводниках во время процессов фотолитографии для того чтобы предотвратить отражение света от более низких слоев приспособления, или приводить к от изменений в толщине слоя фоторезиста, и исключить стоящее влияние волны когда свет ArF использован. Присытствыющий вымысел также относит к анти-otrajatel6nym составам и покрытиям содержа эти органические анти-otrajatel6nye покрывая полимеры, самостоятельно или in combination with некоторые свет-poglo5a4 смеси, и методы подготовки therefor. Когда полимеры присытствыющего вымысла использованы в анти-otrajatel6nom покрытии в процессе фотолитографии для формировать субмичро-kartiny, возникающее исключение изменений в CD должном к диффракционным и отражательным светам возникая от более низких слоев увеличивает выход продукта в образовании субмичро-kartin во время изготовления 64 м, 256 м, 1 г, 4 г и 16 прибора на полупроводниках DRAM г.
