A bi-level, multilayered package with an integral window for housing a microelectronic device. The device can be a semiconductor chip, a CCD chip, a CMOS chip, a VCSEL chip, a laser diode, a MEMS device, or a IMEMS device. The multilayered package can be formed of a low-temperature cofired ceramic (LTCC) or high-temperature cofired ceramic (HTCC) multilayer processes with the window being simultaneously joined (e.g. cofired) to the package body during LTCC or HTCC processing. The microelectronic device can be flip-chip bonded and oriented so that the light-sensitive side is optically accessible through the window. A second chip can be bonded to the backside of the first chip, with the second chip being wirebonded to the second level of the bi-level package. The result is a compact, low-profile package, having an integral window that can be hermetically-sealed.

Um pacote bi-level, multilayered com uma janela integral para abrigar um dispositivo microelectronic. O dispositivo pode ser uma microplaqueta do semicondutor, uma microplaqueta do CCD, uma microplaqueta do CMOS, uma microplaqueta de VCSEL, um diodo do laser, um dispositivo de MEMS, ou um dispositivo de IMEMS. O pacote multilayered pode ser dado forma de um de baixa temperatura cofired cerâmico (LTCC) ou a alta temperatura cofired (HTCC) processos multilayer cerâmicos com a janela que está sendo juntada simultaneamente (por exemplo cofired) ao corpo do pacote durante processar de LTCC ou de HTCC. O dispositivo microelectronic pode ser lanç-microplaqueta ligada e orientada de modo que o lado light-sensitive seja ótica acessível através da janela. Uma segunda microplaqueta pode ser ligada à parte traseira da primeira microplaqueta, com a segunda microplaqueta que é wirebonded ao segundo nível do pacote bi-level. O resultado é um estojo compacto, pacote low-profile, tendo uma janela integral que possa ser hermetically-sealed.