A method of activating a compound semiconductor layer into a p-type compound semiconductor layer is provided. In order to reduce the electrical conductivity of the compound semiconductor layer grown by a VPE method, electromagnetic waves having energy larger than the band gap of the compound semiconductor layer are irradiated and annealing is performed. If the amount of the p-type impurities contained in the layer during growth thereof increases, the resistivity of the layer increases and an annealing temperature is lowered. Also, the contact resistance between the compound semiconductor layer and an electrode is reduced.

Обеспечен метод активировать слой составного полупроводника в слой составного полупроводника п-tipa. Для уменьшения электрической проводимости слоя составного полупроводника, котор вырос метод VPE, электромагнитные волны имея энергию более большую чем зазор полосы слоя составного полупроводника облучены и обжигать выполнен. Если количество примесей п-tipa, котор содержат в слое во время роста thereof увеличивает, то резистивность слоя увеличивает и температура отжига понижена. Также, уменьшено сопротивление контакта между слоем составного полупроводника и электродом.