Readout circuitry for a magnetic tunneling junction (MTJ) memory cell, or an array of MTJ memory cells, is disclosed which requires a varying reference voltage equal to (V.sub.bias1 /2)(1+R.sub.min /R.sub.max), where V.sub.bias1 is a clamping voltage applied to the readout circuitry, R.sub.min is a minimum resistance of the magnetic tunneling junction memory cell, and R.sub.max is a maximum resistance of the magnetic tunneling junction memory cell. A reference voltage generator is disclosed which generates the reference voltage and includes an operational amplifier and two MTJ memory cells connected to provide an output signal equal to (V.sub.bias1 /2)(1+R.sub.min /R.sub.max).

I circuiti della lettura per una cellula di memoria magnetica della giunzione di traforo (MTJ), o un allineamento delle cellule di memoria di MTJ, sono rilevati a cui richiede una tensione di variazione di riferimento uguale (V.sub.bias1 /2)(1+R.sub.min /R.sub.max), dove V.sub.bias1 è una tensione di pressione applicata ai circuiti della lettura, R.sub.min è una resistenza minima della cellula di memoria magnetica della giunzione di traforo e R.sub.max è una resistenza massima della cellula di memoria magnetica della giunzione di traforo. Un generatore di tensione di riferimento è rilevato che genera la tensione di riferimento ed include un amplificatore operativo e due cellule di memoria di MTJ è collegato per fornire un segnale in uscita uguale a (V.sub.bias1 /2)(1+R.sub.min /R.sub.max).