A ferroelectric memory device includes an array of memory cells each having a cell transistor and a ferroelectric capacitor, an insulator film overlying the ferroelectric capacitor and including SiN.sub.x or SiO.sub.x N.sub.y, and a protective layer interposed between the insulator film and the ferroelectric capacitor. The ferroelectric capacitor is protected by a protective layer against degradation of storage and programming characteristics which may be caused by the insulator film. The protective layer includes Ir, IrO.sub.2, Ru, RuO.sub.2 or Al.sub.2 O.sub.3. The ferroelectric capacitor is also protected against water by the insulator film overlying the first protective layer.

Um dispositivo de memória ferroelectric inclui uma disposição de pilhas de memória cada uma que tem um transistor da pilha e um capacitor ferroelectric, uma película do isolador overlying o capacitor ferroelectric e incluindo SiN.sub.x ou SiO.sub.x N.sub.y, e uma camada protetora interposed entre a película do isolador e o capacitor ferroelectric. O capacitor ferroelectric é protegido por uma camada protetora de encontro à degradação das características do armazenamento e da programação que podem ser causadas pela película do isolador. A camada protetora inclui ir, IrO.sub.2, Ru, RuO.sub.2 ou Al.sub.2 O.sub.3. O capacitor ferroelectric é protegido também de encontro à água pela película do isolador que overlying a primeira camada protetora.