A method of designing an optimum mask pattern for forming a metal line by an etching process, the metal line also effectively serving as a light-shielding layer, is provided. In this method, assuming that a mask pattern for forming a first metal line on a transparent insulating film has a width of "L1" overlapped with a first control electrode in a direction perpendicular to an array direction of of transfer elements, "L1" is selected so as to satisfy the following relation L1>(S+dS)+a, wherein "S" is the distance of side etching of the first metal line, "dS" is the dispersion of the distance of the side etching, and "a" is the misalignment of the mask pattern.

Un metodo di progettazione del modello di mascherina ottimale per formare una linea del metallo tramite un processo acquaforte, la linea del metallo anche che serve efficacemente da strato luce-proteggente, è fornito. In questo metodo, che un modello di mascherina per formare una prima linea del metallo su una pellicola isolante trasparente avesse una larghezza di "L1 laterale" presupponente coincideva con un primo elettrodo di controllo in una perpendicolare di senso ad un senso di allineamento degli elementi di trasferimento, "L1" è selezionato in modo da soddisfare il seguente rapporto L1 (S+dS)+a, in cui "la S" è la distanza acquaforte primo della linea del metallo, "dS" è la dispersione della distanza acquaforte laterale e "la a" è il cattivo allineamento del modello di mascherina.