A method of fabricating a thin-film transistor on an insulation substrate.
A first conductive layer, a gate dielectric layer, a silicon layer and a
doped silicon layer are formed on the insulation substrate. These four
layers are patterned to form a gate and a gate line. A second conductive
layer is formed over the insulation substrate. The second conductive layer
and the doped silicon layer are patterned to form a source/drain region, a
source/drain conductive layer and a source/drain line on both sides of the
gate line. A protection layer is formed over the insulation layer,
followed by a patterning step to form openings on the source/drain
conductive layer and the source/drain line. A transparent conductive layer
is formed on the protection layer and in the openings.
After being patterned, a pixel electrode is formed, and a portion of the
transparent conductive layer remains to electrically connect the
source/drain line and the source/drain conductive layer. The method of
fabricating the thin-film transistor can be applied to fabrication of fax
machine, CIS such as scanner and various electronic devices. It can also
be applied to fabrication of normal thin-film transistor flat panel
display such as liquid crystal display (LCD) and organic light emitting
diode (OLED).
Метод изготовлять тонкопленочный транзистор на субстрате изоляции. Первый проводной слой, слой строба диэлектрический, слой кремния и данный допинг слой кремния сформированы на субстрате изоляции. Эти 4 слоя сделаны по образцу для того чтобы сформировать строб и линию строба. Второй проводной слой сформирован над субстратом изоляции. Второй проводной слой и данный допинг слой кремния сделаны по образцу для того чтобы сформировать зону source/drain, слой source/drain проводной и линию source/drain на обеих сторонах линии строба. Слой предохранения сформирован над слоем изоляции, последованным за делая по образцу шагом для того чтобы сформировать отверстия на слое source/drain проводном и линии source/drain. Прозрачный проводной слой сформирован на слое предохранения и в отверстиях. После быть сделанным по образцу, электрод пиксела сформирован, и остают, что электрически соединяет часть прозрачного проводного слоя линию source/drain и слой source/drain проводной. Метод изготовлять тонкопленочный транзистор можно приложить к изготовлению факса, CIS such as блок развертки и различные электронные приспособления. Его можно также приложить к изготовлению нормальной тонкопленочной индикации плоской панели транзистора such as жидкостная crystal индикация (lcd) и органический светлый испуская диод (OLED).
