A memory cell configuration has word lines and bit lines that extend transversely with respect thereto. Memory elements with a giant magnetoresistive effect are respectively connected between one of the word lines and one of the bit lines. The bit lines are each connected to a sense amplifier by means of which the potential on the respective bit line can be regulated to a reference potential and at which an output signal can be picked off. The memory cell configuration can be used both as an MRAM and as an associative memory.

Una configuración de la célula de memoria tiene líneas de la palabra y mordió las líneas que extienden transversalmente con respecto además. Los elementos de la memoria con un efecto magnetoresistente gigante están conectados respectivamente entre una de las líneas de la palabra y una de las líneas del pedacito. Las líneas cada uno del pedacito están conectadas con un amplificador del sentido por medio de el cual el potencial en la línea respectiva del pedacito se pueda regular a un potencial de la referencia y en cuál se puede escoger una señal de salida apagado. La configuración de la célula de memoria se puede utilizar como MRAM y como memoria sociable.