High quality epitaxial layers of oxide can be grown overlying large silicon wafers by first growing an accommodating buffer layer on a silicon wafer. The accommodating buffer layer is a layer of monocrystalline oxide spaced apart from the silicon wafer by an amorphous interface layer of silicon oxide. The amorphous intermediate layer dissipates strain and permits the growth of a high quality monocrystalline oxide accommodating buffer layer. Any lattice mismatch between the accommodating buffer layer and the underlying silicon substrate is taken care of by the amorphous intermediate layer. Waveguides may be formed of high quality monocrystalline material atop the monocrystalline buffer layer. The waveguides can suitably be formed to modulate the wave. Monolithic integration of oxide based electro-optic devices with III-V based photonics and Si circuitry is fully realized.

Epitaxial lagen van uitstekende kwaliteit van oxyde kunnen worden gekweekt bedekkend grote siliciumwafeltjes door een het aanpassen bufferlaag op een siliciumwafeltje eerst te kweken. De het aanpassen bufferlaag is een laag van monocrystalline oxyde dat behalve het siliciumwafeltje door een amorfe interfacelaag uit elkaar wordt geplaatst van siliciumoxyde. De amorfe middenlaag verdrijft spanning en laat de groei van een monocrystalline oxyde het aanpassen bufferlaag van uitstekende kwaliteit toe. Om het even welke roosterwanverhouding tussen de het aanpassen bufferlaag en het onderliggende siliciumsubstraat wordt behandeld door de amorfe middenlaag. De golfgeleiders kunnen van monocrystalline materiaal van uitstekende kwaliteit boven op de monocrystalline bufferlaag worden gevormd. De golfgeleiders kunnen geschikt worden gevormd om de golf te moduleren. De monolithische integratie van oxyde baseerde electro-optic apparaten met IIIV gebaseerde photonics en het schakelschema van Si wordt volledig gerealiseerd.