To fabricate a crystalline semiconductor film with controlled locations and sizes of the crystal grains, and to utilize the crystalline semiconductor film in the channel-forming region of a TFT in order to realize a high-speed operable TFT. A translucent insulating thermal conductive layer 2 is provided in close contact with the main surface of a substrate 1, and an insular or striped first insulating layer 3 is formed in selected regions on the thermal conductive layer. A second insulating layer 4 and semiconductor film 5 are laminated thereover. The semiconductor film 5 is first formed with an amorphous semiconductor film, and then crystallized by laser annealing. The first insulating layer 3 has the function of controlling the rate of heat flow to the thermal conductive layer 2, and the temperature distribution difference on the substrate 1 is utilized to form a single-crystal semiconductor film on the first insulating layer 3.

Para fabricar una película cristalina del semiconductor con localizaciones y tamaños controlados de los granos cristalinos, y utilizar la película cristalina del semiconductor en la región de canal-formacio'n de un TFT para realizar un TFT operable de alta velocidad. Una capa conductora termal aislador translúcida 2 se proporciona en contacto cercano de la superficie principal de un substrato 1, y una primera capa de aislamiento insular o rayada 3 se forma en regiones seleccionadas en la capa conductora termal. Una segunda capa de aislamiento 4 y la película 5 del semiconductor son thereover laminado. La película 5 del semiconductor primero se forma con una película amorfa del semiconductor, y en seguida es cristalizada por el recocido del laser. La primera capa de aislamiento 3 tiene la función de controlar el índice del flujo del calor a la capa conductora termal 2, y la diferencia de la distribución de la temperatura en el substrato 1 se utiliza para formar una película del semiconductor del solo-cristal en la primera capa de aislamiento 3.