On a silicon substrate is formed a silicon dioxide film and then hemispherical grains made of silicon, each having an extremely small diameter, are deposited thereon by LPCVD. After annealing the hemispherical grains, the silicon dioxide film is etched using the hemispherical grains as a first dotted mask, thereby forming a second dotted mask composed of the silicon dioxide film. The resulting second dotted mask is used to etch the silicon substrate to a specified depth from the surface thereof, thereby forming an aggregate of semiconductor micro-needles. Since the diameter of each of the semiconductor micro-needles is sufficiently small to cause the quantum size effects as well as has only small size variations, remarkable quantum size effects can be obtained. Therefore, it becomes possible to constitute a semiconductor apparatus with a high information-processing function by using the aggregate of semiconductor micro-needles (quantized region).

Op een silicium wordt het substraat gevormd een film van het siliciumdioxyde en toen worden de halfronde korrels die van silicium worden gemaakt, elk die een uiterst kleine diameter heeft, gedeponeerd daarop door LPCVD. Na het ontharden van de halfronde korrels, wordt de film van het siliciumdioxyde geëtst gebruikend de halfronde korrels als eerste gestippeld masker, daardoor vormt een tweede gestippeld masker dat uit de film van het siliciumdioxyde wordt samengesteld. Het resulterende tweede gestippelde masker wordt gebruikt om het siliciumsubstraat aan een gespecificeerde diepte van de oppervlakte te etsen daarvan, daardoor vormt een complex van halfgeleider micro-naalden. Aangezien de diameter van elk van de halfgeleider micro-naalden voldoende klein is om de quantumgrootte te veroorzaken uitvoert evenals heeft slechts kleine groottevariaties, kunnen de opmerkelijke quantumgroottegevolgen worden verkregen. Daarom wordt het mogelijk om een halfgeleiderapparaat met een hoge informatie-verwerkende functie te vormen door het complex van halfgeleider micro-naalden (gekwantiseerd gebied) te gebruiken.

 
Web www.patentalert.com

< Electro-optic electric field probe

< III-nitride LED having a spiral electrode

> Increasing the brightness of III-nitride light emitting devices

> Diagnostic and managing distributed processor system

~ 00053