A method and a configuration are provided for compensating for parasitic current losses in an MRAM memory cell array. Individual word lines and bit lines are supplied with currents which are proportioned in such a way that a total current level at respective points of intersection between the word lines and the bit lines is substantially constant.

Eine Methode und eine Konfiguration werden für entschädigende parasitsche gegenwärtige Verluste in einer MRAM Speicherzelle Reihe zur Verfügung gestellt. Einzelne Wortlinien und Spitze Linien werden mit Strömen geliefert, die proportioniert werden, so daß ein gegenwärtiges totalniveau an den jeweiligen Koinzidenzpunkten zwischen den Wortlinien und den Spitze Linien im wesentlichen konstant ist.