An oxide thin film for bolometer having a vanadium oxide represented by VO.sub.x, where x satisfies 1.5.ltoreq.x.ltoreq.2.0, part of vanadium ion in the vanadium oxide being substituted by metal ion M, where the metal ion M is at least one of chromium (Cr), aluminum (Al), iron (Fe), manganese (Mn), niobium (Nb), tantalum (Ta) and titanium (Ti). Also, provided is an infrared detector having a bolometer thin film defined above. The oxide thin film for bolometer offers a low resistivity and a large TCR value. Also, the infrared detector offers a finer temperature resolution capability (NETD) as low as 0.03.degree. C.

Пленка окиси тонкая для болометра имея окись ванадия быть представленным ВО.суб.х, где х удовлетворяет 1.5.ltoreq.x.ltoreq.2.0, часть иона ванадия в окиси ванадия будучи заменянным ионом м металла, где ион м металла по крайней мере одним из хромия (cr), алюминия (al), утюга (fe), марганца (марганца), ниобия (N B), тантала (ta) и титана (ti). Также, при условии ультракрасный детектор имея пленку болометра тонкую быть определенным выше. Пленка окиси тонкая для болометра предлагает низкую резистивность и большое значение TCR. Также, ультракрасный детектор предлагает более точную возможность разрешения температуры (NETD) как низко как 0.03.degree. Ч.