A part of the output light from a semiconductor laser (1), which has a wavelength controllably variable with an injection current, is split at a beam splitter (3) and introduced into a interference optical system (5). In order to vary an optical path length difference between two light beams in the interference optical system (5) to modulate interference fringes to be obtained, AOMs (55, 56) are arranged on the two split optical paths and an EOM (56) on one of them. The interference fringes obtained from the interference optical system (5) are received at a photoreceptive device (7), and from the received signal, the phase is detected by a phase detector (8) and the phase amplitude is detected by an amplitude extractor (9). In order to stabilize the wavelength, a controller (10) feedback controls the injection current to the semiconductor laser (1) so that the phase amplitude matches to a predetermined setting.

Une partie de la lumière de rendement d'un laser de semi-conducteur (1), qui a une variable de longueur d'onde controllably avec un courant d'injection, est dédoublée à un miroir semi-réfléchissant (3) et présentée dans un système optique d'interférence (5). Afin de changer une différence optique de longueur de chemin entre deux faisceaux lumineux dans le système optique d'interférence (5) pour moduler des franges d'interférence à obtenir, AOMs (55, 56) sont arrangés sur les deux chemins optiques fendus et un EOM (56) sur l'un d'entre eux. Les franges d'interférence obtenues à partir du système optique d'interférence (5) sont reçues à un dispositif photoreceptive (7), et du signal reçu, la phase est détectée par un détecteur de phase (8) et l'amplitude de phase est détectée par un extracteur d'amplitude (9). Afin de stabiliser la longueur d'onde, une rétroaction du contrôleur (10) commande le courant d'injection au laser de semi-conducteur (1) de sorte que l'amplitude de phase s'assortisse à un arrangement prédéterminé.