An MRAM device (100) and method of manufacturing thereof having magnetic memory storage cells or stacks (MS0, MS1, MS2, MS3) coupled together in series. Devices (X0, X1, X2, and X3) are coupled in parallel to each magnetic memory storage cell (MS0, MS1, MS2, MS3). The active area (AA) is continuous, and contact vias (VU1, VL1, VU2, VL2 and VU3) are shared by magnetic stacks (MS0, MS1, MS2, MS3). N+ regions (108, 110, 112, 114, 116, 118) are coupled together by devices (X0, X1, X2, and X3).

Un dispositivo de MRAM (100) y método de fabricar de eso tener las células o apilados magnéticos (MS0, MS1, MS2, MS3) del almacenaje de la memoria juntados juntos en serie. Los dispositivos (X0, X1, X2, y X3) se juntan en paralelo a cada célula magnética del almacenaje de la memoria (MS0, MS1, MS2, MS3). El área activa (AA) es los vias continuos, y del contacto (VU1, VL1, VU2, VL2 y VU3) es compartida por los apilados magnéticos (MS0, MS1, MS2, MS3). Las regiones de N+ (108, 110, 112, 114, 116, 118) son juntadas juntas por los dispositivos (X0, X1, X2, y X3).