A solid state microwave switch having a plurality of adjacent parallel fingers covered with an oxide layer. One end of a finger is an N+ source region while the other end is an N+ drain region, with a current conducting N region between them. The oxide layer is covered with a gate layer to which a gate signal is applied for control of current between the N+ regions through the N region. The gate layer is highly resistive and has a sheet resistance on the order of millions of ohms per square. The length from the source to drain region is around 2 .mu.m, and the fingers are spaced with a pitch of around 1 .mu.m.

Ένας διακόπτης στερεάς κατάστασης μικροκυμάτων που έχει μια πολλαπλότητα των παρακείμενων παράλληλων δάχτυλων που καλύπτονται με ένα στρώμα οξειδίων. Ένα τέλος ενός δάχτυλου είναι ν + περιοχή πηγής ενώ το άλλο τέλος είναι ν + περιοχή αγωγών, με μια τρέχουσα περιοχή διεύθυνσης ν μεταξύ τους. Το στρώμα οξειδίων καλύπτεται με ένα στρώμα πυλών στο οποίο ένα σήμα πυλών εφαρμόζεται για τον έλεγχο του ρεύματος μεταξύ ν + των περιοχών μέσω της περιοχής ν. Το στρώμα πυλών είναι ιδιαίτερα ανθεκτικό και έχει μια αντίσταση φύλλων σε παραγγελία των εκατομμυρίων των ωμ ανά τετράγωνο. Το μήκος από την πηγή για να στραγγίξει την περιοχή είναι μu.μ περίπου 2, και τα δάχτυλα χωρίζονται κατά διαστήματα με μια πίσσα περίπου 1 μu.μ.

 
Web www.patentalert.com

< Circuit topology for protecting vulnerable micro electro-mechanical system (MEMS) and electronic relay devices

< Carbon fibers formed from single-wall carbon nanotubes

> Ultrasonic object consolidation

> Method for identifying faults in a branched optical network

~ 00052