A method for manufacturing a laser diode using Group III nitride compound semiconductor comprising a buffer layer 2, an n.sup.+ layer 3, a cladding layer 4, an active layer 5, a p-type cladding layer 61, a contact layer 62, an SiO.sub.2 layer 9, an electrode 7 which is formed on the window formed in a portion of the SiO.sub.2 layer 9, and an electrode 8 which is formed on a portion of the n.sup.+ layer 3 by etching a portion of 4 layers from the contact layer 62 down to the cladding layer 4. One pair of opposite facets S of a cavity is formed by RIBE, and then the facets are etched by gas cluster ion beam etching using Ar gas. As a result, the facets S are flatted and the mirror reflection of the facets S is improved.

Eine Methode für die Produktion einer Laser Diode mit Gruppe III dem Verbindungshalbleiter des Nitrids, der eine Pufferschicht 2, eine n.sup.+ Schicht 3, eine Umhüllungschicht 4, eine aktive Schicht 5, eine Part Umhüllungschicht 61, eine Kontaktschicht 62, eine SiO.sub.2 Schicht 9, eine Elektrode 7 enthält, die auf dem Fenster gebildet wird, bildete sich in einem Teil der SiO.sub.2 Schicht 9 und in einer Elektrode 8, die auf einem Teil der n.sup.+ Schicht 3 gebildet wird, indem man unten einen Teil von 4 Schichten von der Kontaktschicht 62 zur Umhüllungschicht 4 ätzt. Ein Paar Entgegengesetztfacetten S eines Raums wird von RIBE gebildet, und dann werden die Facetten durch Gasblock-Ionenlichtstrahlradierung mit Ar Gas geätzt. Infolgedessen flatted die Facetten, die S sind und die Spiegelreflexion der Facetten S wird verbessert.