A semiconductor device for use in a memory cell includes an active matrix an active matrix provided with a semiconductor substrate, a plurality of transistors formed on the semiconductor substrate and conductive plugs electrically connected to the transistors, a number of lower electrodes formed on top of the conductive plugs, Ta.sub.2 O.sub.5 films formed on the lower electrodes, composite films formed on the Ta.sub.2 O.sub.5 films and upper electrodes formed on the composite films.

Un dispositif de semi-conducteur pour l'usage dans une cellule de mémoire inclut une matrice active que une matrice active a fourni en substrat de semi-conducteur, une pluralité de transistors a formé sur le substrat de semi-conducteur et les prises conductrices électriquement reliées aux transistors, un certain nombre d'électrodes inférieures ont formé sur les prises conductrices, des films de Ta.sub.2 O.sub.5 formés sur les électrodes inférieures, des films composés formés sur les films de Ta.sub.2 O.sub.5 et des électrodes supérieures formées sur les films composés.