A catadioptric projection optical system for use in photolithography used
in manufacturing semiconductors having a quarter waveplate following a
reticle and multiple aspheric surfaces and calcium fluoride lens elements.
A quarter waveplate following the reticle eliminates asymmetry in reticle
diffraction caused by polarized illumination. The use of additional
aspheric surfaces reduces the number of lens elements and aids in reducing
aberrations. Calcium fluoride elements are used in the lens group adjacent
the wafer to help minimize compaction. In one embodiment, only calcium
fluoride material is used. The present invention provides a projection
optics system having a numerical aperture of 0.75 for use with wavelengths
in the 248, 193, and 157 nanometer range. The object and image locations
are separated by a predetermined distance, making possible retrofitting of
older optical systems. The present invention is particularly suited for
use in semiconductor manufacturing and has improved imaging with less
aberrations, particularly at shorter wavelengths.
Um sistema ótico da projeção catadioptric para o uso no photolithography usado nos semicondutores do manufacturing que têm um waveplate de um quarto seguir um reticle e umas superfícies aspheric múltiplas e uns elementos da lente do fluoreto do cálcio. Um waveplate de um quarto que segue o reticle elimina o asymmetry no diffraction do reticle causado pela iluminação polarizada. O uso de superfícies aspheric adicionais reduz o número de elementos e de dae (dispositivo automático de entrada) da lente em reduzir aberrações. Os elementos do fluoreto do cálcio são usados no grupo da lente adjacente o wafer à ajuda minimizam o compaction. Em uma incorporação, somente o material do fluoreto do cálcio é usado. A invenção atual fornece um sistema do sistema ótico da projeção que tem uma abertura numérica de 0.75 para o uso com os wavelengths na escala de 248, 193, e 157 nanômetros. As posições do objeto e da imagem são separadas por uma distância predeterminada, fazendo o retrofitting possível de uns sistemas óticos mais velhos. A invenção atual é servida particularmente para o uso no manufacturing do semicondutor e melhorou a imagem latente com menos aberrações, particularmente em uns wavelengths mais curtos.
