A magnetic storage cell includes an active layer and a reference layer which is structured to minimize disruptions to magnetization in its active layer. The reference layer is structured so that a pair of its opposing edges overlap a pair of corresponding edges of the active layer. This may be used minimize the effects of demagnetization fields on the active layer. In addition, the reference layer may be thinned at its opposing edges to control the effects of coupling fields on the active layer and balance the demagnetization field.

Магнитная клетка хранения вклюает активно слой и слой справки составлен для того чтобы уменьшить нарушения к замагничиванию в своем активно слое. Слой справки составлен так, что пара своих сопротивляясь краев перекроет пару соответствуя краев активно слоя. Это может быть использовано уменьшает влияния полей размагничивания на активно слое. In addition, слой справки может быть утончен на своих сопротивляясь краях для того чтобы контролировать влияния соединять поля на активно слое и балансировать поле размагничивания.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Nonvolatile ferroelectric memory having shunt lines

> Semiconductor device, its manufacturing method and substrate for manufacturing a semiconductor device

> (none)

~ 00052