The present invention relates generally to a method of depositing transition metal carbide thin films. In particular, the invention concerns a method of depositing transition metal carbide thin films by atomic layer deposition (ALD), in which a transition metal source compound and a carbon source compound are alternately provided to the substrate. A variety of metal and carbon source gases are disclosed. The methods are applicable to forming metal carbide thin films in semiconductor fabrication, and particularly to forming thin, conductive diffusion barriers within integrated circuits.

La presente invenzione si riferisce generalmente ad un metodo di depositare le pellicole sottili del carburo del metallo di transizione. In particolare, l'invenzione interessa un metodo di depositare le pellicole sottili del carburo del metallo di transizione tramite il deposito atomico di strato (ALD), in cui un residuo di fonte del metallo di transizione e un residuo di fonte del carbonio alternatamente sono forniti al substrato. Una varietà di gas di fonte del carbonio e del metallo è rilevata. I metodi sono applicabili a formare le pellicole sottili del carburo del metallo nel montaggio a semiconduttore e specialmente a formare le barriere di diffusione sottili e conduttive all'interno dei circuiti integrati.