A cellulose ether that is predominantly substituted in the C3 position of the anhydroglucose unit of the cellulose is described. In an embodiment of the present invention, the partial degree of substitution in the C3 position of the cellulose ether is .gtoreq.60%, based on the total degree of substitution. Also described is a process for preparing the cellulose ether of the present invention. The process involves, reacting cellulose, dissolved in N-methylmorpholine-N-oxide monohydrate (NMMNO) and optionally other inert organic solvents, with alkylation reagents. The reaction takes place in the presence of: (i) an insoluble solid phase catalyst, e.g., solid ion exchange resins based on polystyrene having quaternary ammonium groups; (ii) stabilizers, e.g., propyl gallate; and (iii) optionally additional soluble co-catalysts, e.g., trimethylbenzylammonium hydroxide.

Эфир целлюлозы большей частью заменен в положении C3 блока anhydroglucose целлюлозы описан. В воплощении присытствыющего вымысла, частично степенью замещения в положении C3 эфира целлюлозы будет gtoreq.60%, основанное на полном степени замещения. Также описан процесс для подготовлять эфир целлюлозы присытствыющего вымысла. Процесс включает, реагирующ целлюлозу, растворенную в моногидрате Н-метюылморпюолине-Н-okisi (NMMNO) и опционно других инертных органических растворителях, с реагентами алкилирования. Реакция принимает место in the presence of: (i) неразрешимый катализатор твердого участка, например, твердые смолаы обменом иона основанные на полистироле имея четвертичный аммоний собирает; (ii) стабилизаторы, например, propyl галлат; и (iii) опционно дополнительные soluble чо-katalizatory, например, окисоводопод trimethylbenzylammonium.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Electrode component thermal bonding

> Substrate processing apparatus and method and a manufacturing method of a thin film semiconductor device

> (none)

~ 00052