A method of etching a platinum electrode layer disposed on a substrate to produce a semiconductor device including a plurality of electrodes separated by a distance equal to or less than about 0.3 .mu.m and having a platinum profile equal to or greater than about 85.degree.. The method comprises heating the substrate to a temperature greater than about 150.degree. C., and etching the platinum electrode layer by employing a high density inductively coupled plasma of an etchant gas comprising chlorine, argon and a gas selected from the group consisting of BCl.sub.3, HBr, and mixtures thereof. A semiconductor device having a substrate and a plurality of platinum electrodes supported by the substrate. The platinum electrodes have a dimension (e.g., a width) which include a value equal to or less than about 0.3 .mu.m and a platinum profile equal to or greater than about 85.degree..

Eine Methode des Ätzens einer Platinelektrode Schicht schuf auf einem Substrat ab, ein Halbleiterelement einschließlich eine Mehrzahl der Elektroden zu produzieren, die indem einen Abstand getrennt wurden, der gleich sind oder weniger als ungefähr 0.3 mu.m und Haben eines Platinprofils, das gleich oder als über 85.degree. grösser ist. Die Methode enthält das Heizen des Substrates zu einer Temperatur, die als über 150.degree grösser ist. C. und Radierung die Platinelektrode Schicht, indem sie eine hohe Dichte einsetzten, verbanden induktiv Plasma eines etchant Gases, das Chlor, Argon und ein Gas vorgewählt wurde von der Gruppe enthält, die aus BCl.sub.3, HBr und Mischungen davon besteht. Ein Halbleiterelement, das ein Substrat und eine Mehrzahl der Platinelektroden gestützt durch das Substrat hat. Die Platinelektroden haben ein Maß (z.B., eine Breite) denen einen Wert einschließen Sie, der gleich ist zu, oder kleiner als ungefähr 0.3 mu.m und ein Platin profilieren Gleichgestelltes zu oder grösseres als über 85.degree..