A semiconductor device having improved metal line structure has a first dielectric layer formed on a semiconductor substrate, a metal film pattern formed on the first dielectric layer, an interface protection layer on the metal film pattern, and a second dielectric layer on the interface protection layer, wherein the second dielectric layer contains a reactive material, e.g., fluorine, which is prevented by the interface protection layer from diffusing to the metal film pattern and reacting with the metal in the metal film pattern to form a damage film, e.g., metal fluoride, which is a highly resistive material that, if formed on the semiconductor device, would reduce the reliability of the metal film pattern and thus reduce the reliability of the semiconductor device as a whole.

Un dispositivo de semiconductor que mejora la línea estructura del metal tiene una primera capa dieléctrica formada en un substrato del semiconductor, un patrón de la película del metal formado en la primera capa dieléctrica, una capa de la protección del interfaz en el patrón de la película del metal, y una segunda capa dieléctrica en la capa de la protección del interfaz, en donde la segunda capa dieléctrica contiene un material reactivo, e.g., el flúor, que es prevenido por la capa de la protección del interfaz de difundir al patrón de la película del metal y de reaccionar con el metal en el patrón de la película del metal para formar una película del daños, e.g., el fluoruro del metal, que es un material altamente resistente que, si estuvo formado en el dispositivo de semiconductor, reduciría la confiabilidad de la película del metal el patrón y reduce así la confiabilidad del dispositivo de semiconductor en su totalidad.