A nonvolatile ferroelectric memory device and method for driving the same includes data reading and writing operations performed uniformly in a whole cell array and reduces the size of a cell by lowering a sensing voltage. The nonvolatile ferroelectric memory device includes a main cell and a reference cell provided with one transistor and one or more ferroelectric capacitors among a first voltage applying line (wordline), a bitline and a second voltage applying line. The method includes the steps of primarily activating the wordline and a reference wordline at high level in an active period of one cycle, inactivating the wordline and the reference wordline, activating a sensing amplifier after the wordline is inactivated, secondarily or thirdly activating the wordline at high level in a state that the sensing amplifier is activated in the active period, applying a high level at least once or more to the second voltage applying line to be coincident with the secondary or third active period of the wordline in at least one point, and transiting a chip enable signal from low level to high level to precharge the chip enable signal.

Un dispositivo e un metodo di memoria ferroelectric non volatili per l'azionamento dello stesso include i funzionamenti della lettura e di scrittura di dati realizzati uniformemente in un allineamento intero delle cellule e riduce il formato di una cellula abbassando una tensione di rilevamento. Il dispositivo di memoria ferroelectric non volatile include una cellula principale e una cellula di riferimento fornite di un transistore e di uno o più condensatori ferroelectric in una prima tensione che applica la linea (wordline), un bitline e una seconda tensione che applicano la linea. Il metodo include i punti soprattutto di attivazione del wordline e un wordline di riferimento al livello elevato in un periodo attivo di un ciclo, inattivando il wordline ed il wordline di riferimento, attivanti un amplificatore di rilevamento dopo che il wordline sia inattivato, secondariamente o in terzo luogo attivanti il wordline al livello elevato in un dichiarare che l'amplificatore di rilevamento è attivato nel periodo attivo, applicando un livello elevato almeno una volta o più alla seconda tensione che applica la linea per essere coincidente con il periodo attivo secondario o terzo del wordline in almeno un punto e transiting un circuito integrato permette il segnale dal basso livello al livello elevato precaricare il circuito integrato permette il segnale.