A piezoelectric ceramic device is heated so that the temperature is
increased to a temperature in the vicinity of the maximum temperature at
which the device, when the temperature is returned to ordinary
temperature, is returned to substantially the same piezoelectric
characteristic before heating. In the state that the piezoelectric ceramic
device is heated, and the temperature is increased, at least one of the
piezoelectric phase characteristic and the impedance characteristic of the
piezoelectric ceramic device is measured. The measurement is compared with
a standard characteristic, whereby an internal defect of the piezoelectric
ceramic device is detected, based on results of the comparison. For the
heating and temperature-increasing, and the measuring, a high frequency
measurement signal having a power level that is higher than the rated
level of the piezoelectric ceramic device is applied, and simultaneously
with the piezoelectric ceramic device itself being dielectric-heated by
the application of the high frequency signal, at least one of the
piezoelectric phase characteristic and the impedance characteristic is
measured.
Um dispositivo cerâmico piezoelectric é aquecido de modo que a temperatura seja aumentada a uma temperatura na vizinhança da temperatura máxima em que o dispositivo, quando a temperatura é retornada à temperatura ordinária, é retornado substancialmente à mesma característica piezoelectric antes de se aquecer. No estado que o dispositivo cerâmico piezoelectric está aquecido, e a temperatura é aumentada, ao menos um da fase piezoelectric característica e do impedance característico do dispositivo cerâmico piezoelectric é medido. A medida é comparada com uma característica padrão, por meio de que um defeito interno do dispositivo cerâmico piezoelectric é detectado, baseada em resultados da comparação. Para o heating e o temperatura-aumento, e a medição, um sinal de alta freqüência da medida tendo um nível do poder que seja mais elevado do que o nível rated do dispositivo cerâmico piezoelectric é aplicado, e simultaneamente com o dispositivo cerâmico piezoelectric próprio queestá sendo aquecido pela aplicação do sinal de alta freqüência, ao menos por uma da fase piezoelectric característica e pela característica do impedance é medido.